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IS61DDB22M18A-250M3L_集成電路（IC） 存儲器-北京矽成

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原廠料號：IS61DDB22M18A-250M3L品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

IS61DDB22M18A-250M3L是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝165-LBGA的IS61DDB22M18A-250M3L存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    is61ddb22m18a-250m3l

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61DDB22M18A-250M3L

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    36Mb（2M x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-LFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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