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IS61DDB41M18A-250M3L 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

IS61DDB41M18A-250M3L參考圖片

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原廠料號(hào)：IS61DDB41M18A-250M3L品牌：ISSI

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IS61DDB41M18A-250M3L是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝BGA-165/165-LBGA的IS61DDB41M18A-250M3L存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    IS61DDB41M18A-250M3L

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1Mx18 165ball

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61DDB41M18A-250M3L

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-LFBGA（15x17）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    汪小姐

  • 手機(jī)：

    17147291886

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    151-7354-7089

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室

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