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IS61LPD51236A-200TQI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD51236A-200TQ

512Kx36,1024Kx1818MbSYNCHRONOUSPIPELINED,DOUBLECYCLEDESELECTSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD51236AandIS61LPD/VPD102418Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD51236Aisorganizedas524,288wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD1

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD51236A-200TQI

512Kx36,1024Kx1818MbSYNCHRONOUSPIPELINED,DOUBLECYCLEDESELECTSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD51236AandIS61LPD/VPD102418Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD51236Aisorganizedas524,288wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD1

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD51236A-200TQLI

512Kx36,1024Kx1818MbSYNCHRONOUSPIPELINED,DOUBLECYCLEDESELECTSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD51236AandIS61LPD/VPD102418Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD51236Aisorganizedas524,288wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD1

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61LPD51236A-200TQI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-LQFP（14x20）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IS61LPD51236A-200TQI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 16:30:00

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