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IS61LPS25636A-200B3LI集成電路（IC）存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
/165-TBGA.jpg)
| 廠商型號(hào) |
IS61LPS25636A-200B3LI |
| 參數(shù)屬性 | IS61LPS25636A-200B3LI 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為散裝；類別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA |
| 功能描述 | 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, Single CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 文件大小 |
630.59 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
35 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-20 23:52:00 |
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IS61LPS25636A-200B3LI規(guī)格書詳情
IS61LPS25636A-200B3LI屬于集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS61LPS25636A-200B3LI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS61LPS25636A-200B3LI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
散裝
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
165-TBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
165-TFBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
1650+ |
BGA |
36 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ISSI(美國(guó)芯成) |
23+ |
TFBGA165(13x15) |
7350 |
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ISSI |
23+ |
NA/ |
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ISSI |
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BGA |
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ISSI |
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ISSI(美國(guó)芯成) |
23+ |
TFBGA165(13x15) |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
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165-TBGA |
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ISSI |
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ISSI |
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ISSI |
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BGA |
41722 |
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詢價(jià) |
