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IS61LV12824-10BL-TR

Package：119-BGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61LV12824-10B

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

DESCRIPTION TheISSIIS61LV12824isahigh-speed,staticRAMorganizedas131,072wordsby24bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nswithlowpowercons

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV12824-10BI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV12824-10BL

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV12824-10TQ

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV12824-10TQI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV12824-10TQLI

128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LV12824-10BL-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    3Mb（128K x 24）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS61LV12824-10BL-TR供應商 更新時間2025-1-22 16:30:00

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