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IS61LV25616AL-10BLI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LV25616AL-10BLI

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61LV25616AL-10BLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61LV25616AL-10K

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV25616AL-10K

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV25616AL-10KI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV25616AL-10KI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV25616AL-10KLI

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IS61LV25616AL-10LQ

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IS61LV25616AL-10LQI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV25616AL-10T

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

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IS61LV25616AL-10TI

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IS61LV25616AL-10TL

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61LV25616AL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TFBGA(8x10)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
存儲器
BGA
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ISSI原裝存儲芯片-誠信為本
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更多IS61LV25616AL-10BLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 14:13:00