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IS61LV51216-10MLI

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10M

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10M

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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IS61LV51216-10MI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10MI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10T

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10T

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV51216-10TI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV51216-10TI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10TLI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

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512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    IS61LV51216-10MLI

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問時間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最小:

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
原盒原包裝
780
原盒原包裝公司現(xiàn)貨!
詢價
ISSI
22+
BGA
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
詢價
ISSI
2023+
BGA
53500
正品,原裝現(xiàn)貨
詢價
ISSI
2339+
BGA
5825
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!
詢價
ISSI
24+
BGA(48)
12000
專營ISSI進口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
詢價
ISSI
18+
BGA
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
ISSI
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
ISSI現(xiàn)貨
2023+
BGA
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
ISSI現(xiàn)貨
24+
BGA
35200
一級代理/放心采購
詢價
ISSI
22+
BGA
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價
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