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IS61LV6416-10K集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61LV6416-10K
廠商型號

IS61LV6416-10K

參數(shù)屬性

IS61LV6416-10K 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封裝外殼

44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

146.94 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-12 11:40:00

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IS61LV6416-10K規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV6416/IS61LV6416L is a high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 8, 10, 12 ns

? CMOS low power operation

— 61LV6416: 75 mW (typical) operating current 0.5 mW (typical) standby current

— 61LV6416L: 65 mW (typical) operating current 50 μW (typical) standby current

? TTL compatible interface levels

? Single 3.3V power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61LV6416-10KLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI/芯成半導(dǎo)體
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