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IS61LV6416-10TI集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61LV6416-10TI |
| 參數(shù)屬性 | IS61LV6416-10TI 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 文件大小 |
146.94 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-1 18:35:00 |
IS61LV6416-10TI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LV6416/IS61LV6416L is a high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
FEATURES
? High-speed access time: 8, 10, 12 ns
? CMOS low power operation
— 61LV6416: 75 mW (typical) operating current 0.5 mW (typical) standby current
— 61LV6416L: 65 mW (typical) operating current 50 μW (typical) standby current
? TTL compatible interface levels
? Single 3.3V power supply
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? Lead-free available
IS61LV6416-10TI屬于集成電路（IC） > 存儲器。北京矽成半導體有限公司制造生產(chǎn)的IS61LV6416-10TI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IS61LV6416-10TI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
1Mb（64K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應商器件封裝：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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