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IS61NLF25636A集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS61NLF25636A |
參數(shù)屬性 | IS61NLF25636A 封裝/外殼為119-BBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
功能描述 | 256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
文件大小 |
236.85 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
37 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-19 22:59:00 |
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IS61NLF25636A規(guī)格書詳情
IS61NLF25636A屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導體有限公司制造生產(chǎn)的IS61NLF25636A存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 同步,SDR
- 存儲容量:
9Mb(256K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
119-BBGA
- 供應商器件封裝:
119-PBGA(14x22)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
23+ |
TQFP100(14x20) |
7350 |
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ISSI |
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ISSI |
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ISSI |
13+14+ |
TQFP100 |
880000 |
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