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IS61NLP51218B-200TQLI 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

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原廠料號(hào)：IS61NLP51218B-200TQLI品牌：ISSI(美國芯成)

IS61NLP51218B-200TQLI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI(美國芯成)/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝LQFP-100(14x20)/100-LQFP的IS61NLP51218B-200TQLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    IS61NLP51218B-200TQLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61NLP51218B-200TQLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-LQFP（14x20）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐/柯先生/陳先生

  • 手機(jī)：

    13510737511/13764028118

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83776888

  • 傳真：

    0755-83211476

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富街道華強(qiáng)北都會(huì)B座12X ,上海黃浦北京東路668號(hào)科技京城西樓

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