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IS61NVF25672-6.5B1I集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61NVF25672-6.5B1I |
| 參數(shù)屬性 | IS61NVF25672-6.5B1I 封裝/外殼為209-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA |
| 功能描述 | 256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 文件大小 |
251.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
35 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-18 17:30:00 |
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IS61NVF25672-6.5B1I規(guī)格書詳情
IS61NVF25672-6.5B1I屬于集成電路（IC） > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS61NVF25672-6.5B1I存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IS61NVF25672-6.5B1I
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
18Mb（256K x 72）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
2.375V ~ 2.625V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
209-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
209-LFBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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