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IS61NVP25672-200B1集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS61NVP25672-200B1
廠商型號

IS61NVP25672-200B1

參數(shù)屬性

IS61NVP25672-200B1 封裝/外殼為209-BGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

功能描述

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

文件大小

277.54 Kbytes

頁面數(shù)量

35

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-11-18 17:30:00

IS61NVP25672-200B1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 18 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 72 bits, 512K words by 36 bits and 1M words by 18 bits, fabricated with ISSIs advanced CMOS technology.

FEATURES

? 100 percent bus utilization

? No wait cycles between Read and Write

? Internal self-timed write cycle

? Individual Byte Write Control

? Single R/W (Read/Write) control pin

? Clock controlled, registered address, data and control

? Interleaved or linear burst sequence control using MODE input

? Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining

? Power Down mode

? Common data inputs and data outputs

? CKE pin to enable clock and suspend operation

? JEDEC 100-pin TQFP, 165-ball PBGA and 209- ball (x72) PBGA packages

? Power supply:

NVP: VDD 2.5V (± 5), VDDQ 2.5V (± 5)

NLP: VDD 3.3V (± 5), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5)

? JTAG Boundary Scan for PBGA packages

? Industrial temperature available

? Lead-free available

IS61NVP25672-200B1屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS61NVP25672-200B1存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS61NVP25672-200B1

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    18Mb(256K x 72)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    209-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    209-LFBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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