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IS61NVP51236-200B3I-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61NVP51236-200B3

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61NVP51236-200B3I

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    IS61NVP51236-200B3I-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應商器件封裝：

    165-TFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

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更多IS61NVP51236-200B3I-TR供應商 更新時間2024-11-18 16:30:00

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