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    IS61WV10248BLL-10MLI-TR 集成電路(IC)存儲器 ISSI/北京矽成

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    原廠料號:IS61WV10248BLL-10MLI-TR品牌:ISSI(美國芯成)

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    IS61WV10248BLL-10MLI-TR是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI(美國芯成)/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝miniBGA-48(9x11)/48-TFBGA的IS61WV10248BLL-10MLI-TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

    • 芯片型號:

      IS61WV10248BLL-10MLI-TR

    • 規(guī)格書:

      下載 下載2

    • 企業(yè)簡稱:

      ISSI【北京矽成】詳情

    • 廠商全稱:

      Integrated Silicon Solution Inc

    • 中文名稱:

      北京矽成半導體有限公司

    • 資料說明:

      靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 類型

      描述

    • 產(chǎn)品編號:

      IS61WV10248BLL-10MLI-TR

    • 制造商:

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    • 類別:

      集成電路(IC) > 存儲器

    • 包裝:

      托盤

    • 存儲器類型:

      易失

    • 存儲器格式:

      SRAM

    • 技術:

      SRAM - 異步

    • 存儲容量:

      8Mb(1M x 8)

    • 存儲器接口:

      并聯(lián)

    • 寫周期時間 - 字,頁:

      10ns

    • 電壓 - 供電:

      2.4V ~ 3.6V

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 85°C(TA)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      48-TFBGA

    • 供應商器件封裝:

      48-迷你型BGA(9x11)

    • 描述:

      IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

    供應商

    • 企業(yè):

      艾睿國際(香港)有限公司

    • 商鋪:

      進入商鋪

    • 聯(lián)系人:

      蔡小姐

    • 手機:

      15813737183

    • 詢價:
    • 電話:

      15813737183

    • 地址:

      香港上環(huán)永樂街121-125號永達商業(yè)大廈3樓A室