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IS61WV5128BLL-10BLI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10BLI

包裝:托盤 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BLI-TR

包裝:管件 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10KLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10TI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV5128BLL-10TLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61WV5128BLL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI原裝正品專賣價格
23+
36-MBGA
9231
專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定
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ISSI
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原廠原裝正品現(xiàn)貨!!
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ISSI(美國芯成)
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原裝現(xiàn)貨,直供終端工廠
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36-迷你型BGA(8x10)
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專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
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只做進口原裝現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十!
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只做原裝進口,假一罰十
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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專營ISSI進口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ISSI
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36-MBGA
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更多IS61WV5128BLL-10BLI供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 14:00:00