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IS61WV5128EDBLL-10TLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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原廠料號：IS61WV5128EDBLL-10TLI品牌：ISSI

百分百原裝正品

IS61WV5128EDBLL-10TLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝TSOP/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的IS61WV5128EDBLL-10TLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS61WV5128EDBLL-10TLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導體有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    446.55 kb

  • 資料說明：

    512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV5128EDBLL-10TLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    15507502698

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23903058

  • 傳真：

    0755-23905869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730

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