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IS61WV5128EDBLL集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61WV5128EDBLL |
| 參數(shù)屬性 | IS61WV5128EDBLL 封裝/外殼為36-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
| 功能描述 | 512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC |
| 封裝外殼 | 36-TFBGA |
| 文件大小 |
446.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 9:20:00 |
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產品屬性
- 產品編號：
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
4Mb（512K x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
36-TFBGA
- 供應商器件封裝：
36-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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