IS61WV6416BLL-12BLI-TR_集成電路(IC) 存儲器-北京矽成

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原廠料號:IS61WV6416BLL-12BLI-TR品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

IS61WV6416BLL-12BLI-TR是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝48-TFBGA的IS61WV6416BLL-12BLI-TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is61wv6416bll-12bli-tr

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  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61WV6416BLL-12BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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