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IS62LV256AL-20JLI

32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS62/65LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum. When

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS62LV256AL-20JLI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62LV256AL-20JLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS62LV256AL-20J

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20JI

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20JL

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20T

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20TI

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20TL

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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IS62LV256AL-20TLI

32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS62LV256AL-20JLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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