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IS62WV102416BLL-25MI

1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25MI

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25MI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25MLI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25TI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25TLI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS62WV102416BLL-25MI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-迷你型BGA（9x11）

  • 描述：

    IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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54-VFBGA
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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ISSI Integrated Silicon Solut
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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器16M(1Mx16)25nsAsync靜態(tài)隨機(jī)存取
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更多IS62WV102416BLL-25MI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 15:09:00

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