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IS62WV1288BLL-55QLI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS62WV1288BLL-55QLI
廠商型號(hào)

IS62WV1288BLL-55QLI

參數(shù)屬性

IS62WV1288BLL-55QLI 封裝/外殼為32-SOIC(0.455",11.30mm 寬);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP

功能描述

128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

封裝外殼

32-SOIC(0.455",11.30mm 寬)

文件大小

111.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISSI北京矽成

中文名稱(chēng)

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-13 10:18:00

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IS62WV1288BLL-55QLI規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV1288ALL / IS62WV1288BLL are highspeed, 1M bit static RAMs organized as 128K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

? CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply:

1.65V--2.2V VDD (62WV1288ALL)

2.5V--3.6V VDD (62WV1288BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS62WV1288BLL-55QLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-SOIC(0.455",11.30mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOP

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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