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IS62WV2568BLL-55BLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS62WV2568BLL-55BLI |
| 參數(shù)屬性 | IS62WV2568BLL-55BLI 封裝/外殼為36-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA |
| 功能描述 | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 36-TFBGA |
| 文件大小 |
73.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-8 17:56:00 |
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IS62WV2568BLL-55BLI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS62WV2568ALL / IS62WV2568BLL are highspeed, 2M bit static RAMs organized as 256K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.
FEATURES
? High-speed access time: 55ns, 70ns
? CMOS low power operation
– 36 mW (typical) operating
– 9 μW (typical) CMOS standby
? TTL compatible interface levels
? Single power supply
– 1.65V--2.2V VCC (62WV2568ALL)
– 2.5V--3.6V VCC (62WV2568BLL)
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Industrial temperature available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS62WV2568BLL-55BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
2Mb（256K x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
55ns
- 電壓 - 供電：
2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
36-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
36-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
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