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IS62WV6416ALL集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS62WV6416ALL |
| 參數(shù)屬性 | IS62WV6416ALL 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
| 功能描述 | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
111.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | IS62WV6416ALL價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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IS62WV6416ALL規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.
FEATURES
? High-speed access time: 45ns, 55ns
? CMOS low power operation:
30 mW (typical) operating
15 μW (typical) CMOS standby
? TTL compatible interface levels
? Single power supply
1.7V--2.2V VDD (62WV6416ALL)
2.5V--3.6V VDD (62WV6416BLL)
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? 2CS Option Available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS62WV6416ALL-55BI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
1Mb（64K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
55ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 2.2V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
23+ |
TFBGA48(6x8) |
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