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IS63LV1024L-10T-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：32-SOIC（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS63LV1024L-10JI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS63LV1024L-10T	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS63LV1024L-10TI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS63LV1024L-10TL	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS63LV1024L-10TLI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS63LV1024L-10T-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
1Mb（128K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
32-SOIC（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
32-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IS63LV1024L-10T-TR	ISSI	23+	32-TSOPII	39257	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
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