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IS63LV1024L-12BLI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12BLI

Package：36-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS63LV1024L-12BLI-TR

Package：36-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS63LV1024L-12H

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12H

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12J

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12J

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12JI

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12JL

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS63LV1024L-12K

128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS63LV1024L-12BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-迷你型BGA（8x10）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS63LV1024L-12BLI供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 17:06:00

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