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IS66WV51216EALL集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS66WV51216EALL |
| 參數(shù)屬性 | IS66WV51216EALL 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
| 功能描述 | Three state outputs |
| 封裝外殼 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
620.13 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
17 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-19 16:54:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS66WV51216EALL-70BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
PSRAM
- 技術(shù)：
PSRAM（偽 SRAM）
- 存儲(chǔ)容量：
8Mb（512K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
70ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國(guó)芯成) |
1921+ |
TFBGA-48(6x8) |
3575 |
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21+ |
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ISSI |
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ISSI |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
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48-TFBGA |
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ISSI(美國(guó)芯成) |
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18000 |
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ISSI(美國(guó)芯成) |
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