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ISB3009中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISB3009
廠商型號

ISB3009

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

312.09 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-10-30 18:02:00

ISB3009規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 60V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 0.3V(Max) @IC= 1A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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