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ISB3041中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISB3041
廠商型號

ISB3041

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

370.24 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-16 16:44:00

ISB3041規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 400V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=10A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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