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ISBL3019N中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISBL3019N
廠商型號

ISBL3019N

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

288.73 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-30 8:50:00

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ISBL3019N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO=300V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 3.0V(Max) @IC= 8A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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