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ISBL3019N中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ISBL3019N
廠商型號(hào)

ISBL3019N

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

288.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 11:25:00

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ISBL3019N規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO=300V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 3.0V(Max) @IC= 8A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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