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ISC022N10NM6

Marking:022N1N6;Package:PG-TSON-8-3;OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ISC022N10NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 10:02:00