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ISC25N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTV25N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTV25N50E

TMOSPOWERFET25AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.200OHM

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

SIHA25N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHA25N50E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB25N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS ?Hards

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG25N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHG25N50E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP25N50E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP25N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS ?Hard

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NEC
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3200
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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更多ISC25N50F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 15:04:00

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