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RN1242

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)

ForMutingandSwitchingApplications 1.Highemitter-basevoltage:VEBO=25v(min) 2.Highreversehfe:reversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4ma) 3.Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) 4.Withbuilt-inbiasresistors 5.Simplifycircuitdesign 6.Reduceaquantityofpart

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多ISF1242供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00