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ISG0613N04NM6H

Marking：613N04N6H；Package：PG-VITFN-10；MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

Features ?SymmetricalHalfBridge ?Optimizedforlowvoltagedrivesandbatterypoweredapplications ?OptimizedforhighperformanceSMPS ?N-channel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?100%avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISG0613N04NM6HSC

Marking：61304N6HC；Package：PG-WHITFN-10-1；MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

Features ?SymmetricalHalfBridge ?Optimizedforlowvoltagedrivesandbatterypoweredapplications ?OptimizedforhighperformanceSMPS ?N-channel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?100%avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多ISG0613N04NM6H供應商 更新時間2025-3-15 15:00:00

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