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ISG0616N10NM5HSC中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

ISG0616N10NM5HSC
廠商型號

ISG0616N10NM5HSC

功能描述

MOSFET OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V

絲印標識

61610N5HC

封裝外殼

PG-WHITFN-10-1

文件大小

1.03477 Mbytes

頁面數量

11

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-8 18:05:00

ISG0616N10NM5HSC規(guī)格書詳情

Features

? Symmetrical Half Bridge

? Optimized for low voltage drives and battery powered applications

? Optimized for high performance SMPS

? N-channel

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100% avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

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