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ISK018NE1LM7中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

ISK018NE1LM7
廠商型號

ISK018NE1LM7

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor, 15 V

絲印標識

18E1

封裝外殼

PG-VSON-6

文件大小

1.26523 Mbytes

頁面數量

11

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 20:00:00

ISK018NE1LM7規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, logic level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Optimized for high performance SMPS, e.g. synchronous rectification

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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