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ISK024NE2LM5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

ISK024NE2LM5
廠商型號(hào)

ISK024NE2LM5
參數(shù)屬性

ISK024NE2LM5 封裝/外殼為6-PowerVDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRENCH \u003c= 40V PG-VSON-6
功能描述

OptiMOS5 power-Transistor,25V
TRENCH \u003c= 40V PG-VSON-6
絲印標(biāo)識(shí)

24E2
封裝外殼

PG-VSON-6-1 / 6-PowerVDFN
文件大小

1.52562 Mbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

ISK024NE2LM5規(guī)格書詳情

ISK024NE2LM5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的ISK024NE2LM5晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISK024NE2LM5AULA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    OptiMOS?, StrongIRFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-PQFN 雙通道（2x2）

  • 封裝/外殼：

    6-PowerVDFN

  • 描述：

    TRENCH \u003c= 40V PG-VSON-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
NA/
8735
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