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ISL6608IRZ-T集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
ISL6608IRZ-T |
參數(shù)屬性 | ISL6608IRZ-T 封裝/外殼為8-VQFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN |
功能描述 | Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability |
封裝外殼 | 8-VQFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
611.92 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-11 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
ISL6608IRZ-T
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置:
半橋
- 通道類型:
同步
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
2A,2A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時(shí)間(典型值):
8ns,8ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-VQFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-QFN(3x3)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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7350 |
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詢價(jià) |