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ISL6608IRZ-T集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

ISL6608IRZ-T
廠商型號(hào)

ISL6608IRZ-T

參數(shù)屬性

ISL6608IRZ-T 封裝/外殼為8-VQFN 裸露焊盤(pán);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

功能描述

Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability

封裝外殼

8-VQFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

611.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-27 23:01:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISL6608IRZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    8ns,8ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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