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ISL6612ECBZ集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

ISL6612ECBZ
廠商型號(hào)

ISL6612ECBZ

參數(shù)屬性

ISL6612ECBZ 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

絲印標(biāo)識(shí)

6612ECBZ

封裝外殼

8LdEPSOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

文件大小

601.58 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-8 16:13:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISL6612ECBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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