ISL6612EIBZ-T_集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器-Renesas Electronics America Inc

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  • 廠家型號(hào):

    ISL6612EIBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 封裝外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 包裝:

    管件

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間:

    2025-1-6 16:18:00

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原廠料號(hào):ISL6612EIBZ-T品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說明:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

ISL6612EIBZ-T是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤的ISL6612EIBZ-T柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào):

    isl6612eibz-t

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISL6612EIBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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