訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
ISL6612EIBZ-T
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 庫(kù)存數(shù)量:
0
- 類別:
- 封裝外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
- 包裝:
管件
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 更新時(shí)間:
2025-1-6 16:18:00
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
Renesas Electronics America Inc
0
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
管件
表面貼裝型
2025-1-6 16:18:00
原廠料號(hào):ISL6612EIBZ-T品牌:Renesas Electronics America Inc
資料說明:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL6612EIBZ-T是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤的ISL6612EIBZ-T柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
描述
ISL6612EIBZ-T
Renesas Electronics America Inc
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
管件
半橋
同步
N 溝道 MOSFET
10.8V ~ 13.2V
1.25A,2A
非反相
26ns,18ns
-40°C ~ 125°C(TJ)
表面貼裝型
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
8-SOIC-EP
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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INTERSIL |
24+ |
原裝 |
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24+ |
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原裝正品支持實(shí)單 |
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SOIC-8 |
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長(zhǎng)期供貨進(jìn)口原裝熱賣現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Renesas Electronics America In |
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8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)裸露 |
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8-SOIC |
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原廠封裝 |
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