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ISL71040MRTZ-T7A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISL71040MRTZ-T7A
廠商型號(hào)

ISL71040MRTZ-T7A

功能描述

Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

絲印標(biāo)識(shí)

71040MRTZ

封裝外殼

TDFN

文件大小

768.83 Kbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-13 22:30:00

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ISL71040MRTZ-T7A規(guī)格書詳情

Features

? Wide operating voltage range of 4.5V to 13.2V

? Up to 14.7V logic inputs (regardless of VDD

level)

○ Inverting and non-inverting inputs

? Optimized to drive enhancement mode GaN

FETs

○ Internal 4.5V regulated gate drive voltage

○ Independent outputs for adjustable

turn-on/turn-off speeds

? NiPdAu-Ag Lead finish (Sn-free, Pb-free)

? Moisture Sensitivity Level (MSL) Rating: 1

? Passes NASA Low Outgassing Specifications

? Full military temperature range operation

○ TA = -55°C to +125°C

○ TJ = -55°C to +150°C

? Characterized radiation levels

○ Low Dose Rate (LDR) <0.01rad(Si)/s: 30krad(Si)

○ No SEB/L, VDD = 16.5V: 43MeV?cm2/mg

Applications

? Flyback and forward converters

? Boost and PFC converters

? Secondary synchronous FET drivers

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