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ISL71043MEVAL1Z

100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features ?VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) ?Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) ?SEEhardness(seeSEEreportfordetails) ?SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV?cm2/mg ?ISL70023SEHradiationacceptingtesting ?Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) ?Lowdoserate

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL71043MEVAL1Z

Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

Features ?Wideoperatingvoltagerangeof4.5Vto13.2V ?Upto14.7Vlogicinputs(regardlessofVDD level) ○Invertingandnon-invertinginputs ?OptimizedtodriveenhancementmodeGaN FETs ○Internal4.5Vregulatedgatedrivevoltage ○Independentoutputsforadjustable turn-on/turn-

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更多ISL71043MEVAL1Z供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 15:00:00

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