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ISL7X024SEH

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features ?VerylowrDS(ON)3.5mΩ(typical) ?Ultralowtotalgatecharge19nC(typical) ?ISL70020SEHradiationacceptancetesting ○Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) ○Lowdoserate(0.01rad(Si)/s):75krad(Si) ?ISL73020SEHradiationacceptancetesting ○Lowdoserate(0.01rad

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL7X024SEH

200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features ?VerylowrDS(ON)45mΩ(typical) ?Ultralowtotalgatecharge2.5nC(typical) ?SEEhardness(seeSEEreportfordetails) ?SEL/SEBLETTH(VDS=160V,VGS=0V): 86MeV?cm2/mg ?ISL70024SEHradiationacceptance(seeTIDreport) ?Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) ?Lo

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