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ISP13DP06NMS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

ISP13DP06NMS
廠商型號

ISP13DP06NMS

參數(shù)屬性

ISP13DP06NMS 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET P-CH 60V SOT223

功能描述

OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V
MOSFET P-CH 60V SOT223

文件大小

747.47 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-7 10:53:00

ISP13DP06NMS規(guī)格書詳情

ISP13DP06NMS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的ISP13DP06NMS晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    ISP13DP06NMSATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    OptiMOS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    P 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    2.8A(Ta)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 描述:

    MOSFET P-CH 60V SOT223

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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