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SPA17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) ?Pb	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB17N80C3	文件：326.37 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS?PowerTransistorFeaturesnewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPB17N80C3	文件：189.55 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SPW17N80C3A	文件：508.49 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	ISPP300ISI	IS	23+		50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多ISPP17N80C3供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 13:00:00

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