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ITK15A60U	文件：288.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.3?(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforro	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
K15A60U	文件：162.27 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.24?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
S15A60	文件：235.5 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(15A,30-60V) UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal. Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprotectiondiode	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
S15A60PT	文件：68.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
SF15A60	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
SF15A60F	文件：54.28 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
SF15A60U	文件：3.46522 Mbytes Page：3 Pages	15Amperes,600VoltsSingleHyperFastSoftRecoveryEpitaxialDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
SFF15A60U	文件：3.64252 Mbytes Page：3 Pages	15Amperes,600VoltsInsulatedHyperFastSoftRecoveryEpitaxialDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
SR15A60F-G	文件：51.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SR15A60-G	文件：51.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
TK15A60D	文件：319.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=370m?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2to4V(VDS=10V,ID=1.0mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
TK15A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK15A60D	文件：196.2 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.31?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK15A60D	文件：196.2 Kbytes Page：6 Pages	Lowdrain-sourceON-resistance	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK15A60U	文件：288.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.3?(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforro	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
TK15A60U	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TK15A60U	文件：162.27 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.24?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
U15A60	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECTIFIERS(15A,300-600V) UltraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
U15A60PT	文件：111.17 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER VOLTAGERANGE50-600VoltsCURRENT15Amperes FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Dualrectifierconstruction,positivecentertap Glasspassivatedchipjunctions Lowpowerloss *Lowforwardvoltage,highcurrentcapability	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
UF15A60	文件：199.88 Kbytes Page：2 Pages	UtraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC

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