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JCS1N60C	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60NC-O-N-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60R-O-R-N-B	文件：1.3952 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
JCS1N60VC-O-V-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JMP1N60A	文件：235.033 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
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K1N60SA	文件：300.13 Kbytes Page：7 Pages	TRIAC(SiliconBidirectionalThyristor)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KF1N60D	文件：614.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF1N60D	文件：923.42 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF1N60D	文件：1.0861 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF1N60D/I	文件：923.42 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF1N60DI	文件：923.42 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF1N60I	文件：346.28 Kbytes Page：1 Pages	DPAK(1)PACKAGE GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
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KF1N60L	文件：882.3 Kbytes Page：7 Pages	ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics. GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=0.5A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KI1N60	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KI1N60DS	文件：1.09478 Mbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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