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IX6R11S3集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

IX6R11S3
廠商型號(hào)

IX6R11S3
參數(shù)屬性

IX6R11S3 封裝/外殼為16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
功能描述

6A Half-Bridge Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
封裝外殼

16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
文件大小

1.24805 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 22:30:00
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IX6R11S3規(guī)格書詳情

IX6R11S3屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IX6R11S3柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

General Description

The IX6R11 Bridge Driver for N-channel MOSFETs and IGBTs with a high side and low side output, whose input signals reference the low side. The High Side driver can control a MOSFET or IGBT connected to a positive buss voltage up to 650V.

Features

? Floating High Side Driver with boot-strap Power supply along with a Low Side Driver.

? Fully operational to 650V

? ± 50V/ns dV/dt immunity

? Gate drive power supply range: 10 - 35V

? Undervoltage lockout for both output drivers

? Separate Logic power supply range: 3.3V to VCL

? Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOSTM processes

? Latch-Up protected over entire operating range

? High peak output current: 6A

? Matched propagation delay for both outputs

? Low output impedance

? Low power supply current

? Immune to negative voltage transients

Applications

? Driving MOSFETs and IGBTs in half-bridge circuits

? High voltage, high side and low side drivers

? Motor Controls

? Switch Mode Power Supplies (SMPS)

? DC to DC Converters

? Class D Switching Amplifiers

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IX6R11S3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    6V，9.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    6A，6A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    25ns，17ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
2020+
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