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IXBH10N170

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterrupt

IXYS

IXYS Corporation

IXBH10N170

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 20A 140W TO247AD

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IXYS Corporation

IXBT10N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●HighBlockingVoltage ●JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●ACmotorspeedcontrol ●Uninterrupt

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IXGH10N170

HighVoltageIGBT

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IXGH10N170A

HighVoltageIGBT

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IXYS Corporation

IXGT10N170

HighVoltageIGBT

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IXGT10N170A

HighVoltageIGBT

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IXYH10N170C

HighVoltageXPTIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBH10N170

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.8V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    6mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    35ns/500ns

  • 測試條件：

    1360V，10A，56 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1700V 20A 140W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
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23+
TO-247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
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24+
TO-247
8866
詢價
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23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
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18+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
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N/A
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1809+
TO-247
326
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
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22+
NA
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22+
TO247AD (IXBH)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多IXBH10N170供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 15:00:00

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