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IXBK55N300分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBK55N300
廠商型號

IXBK55N300

參數(shù)屬性

IXBK55N300 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264

功能描述

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 3000V 130A 625W TO264

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

221.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-22 18:29:00

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IXBK55N300規(guī)格書詳情

IXBK55N300屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBK55N300晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? High Blocking Voltage

? International Standard Packages

? Low Conduction Losses

? High Current Handling Capability

? MOS Gate Turn-On - Drive Simplicity

Advantages

? Easy to Mount

? Space Savings

? High Power Density

Applications

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Capacitor Discharge Circuits

? Laser Generators

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXBK55N300

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,55A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 3000V 130A 625W TO264

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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